柱式傳感器設計成功與否與干擾設計之間的關(guān)系

　　柱式傳感器電路很容易接收到外界或內部一些無(wú)規則的噪聲或干擾信號，其實(shí)柱式傳感器設計的成功與否與干擾設計是分不開(kāi)的。
　　1.低頻噪聲
??? 低頻噪聲主要是由于內部的導電微粒不連續造成的。特別是碳膜電阻，其碳質(zhì)材料內部存在許多微小顆粒，顆粒之間是不連續的，在電流流過(guò)時(shí)，會(huì )使電阻的導電率發(fā)生變化引起電流的變化，產(chǎn)生類(lèi)似接觸不良的閃爆電弧。另外，晶體管也可能產(chǎn)生相似的爆裂噪聲和閃爍噪聲，其產(chǎn)生機理與電阻中微粒的不連續性相近，也與晶體管的摻雜程度有關(guān)。
　　2.高頻熱噪聲
??? 高頻熱噪聲是由于導電體內部電子的無(wú)規則運動(dòng)產(chǎn)生的。溫度越高，電子運動(dòng)就越激烈。導體內部電子的無(wú)規則運動(dòng)會(huì )在其內部形成很多微小的電流波動(dòng)，因其是無(wú)序運動(dòng)，故它的平均總電流為零，但當它作為一個(gè)元件(或作為電路的一部分)被接入放大電路后，其內部的電流就會(huì )被放大成為噪聲源，特別是對工作在高頻頻段內的電路高頻熱噪聲影響尤甚。
　　3.半導體器件產(chǎn)生的散粒噪聲
??? 由于半導體PN結兩端勢壘區電壓的變化引起累積在此區域的電荷數量改變，從而顯現出電容效應。當外加正向電壓升高時(shí)，N區的電子和P區的空穴向耗盡區運動(dòng)，相當于對電容充電。當正向電壓減小時(shí)，它又使電子和空穴遠離耗盡區，相當于電容放電。當外加反向電壓時(shí)，耗盡區的變化相反。當電流流經(jīng)勢壘區時(shí)，這種變化會(huì )引起流過(guò)勢壘區的電流產(chǎn)生微小波動(dòng)，從而產(chǎn)生電流噪聲。其產(chǎn)生噪聲的大小與溫度、頻帶寬度△f成正比。